碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。

而碳化硅衬底是美国的 CREE 公司专门采用 SiC 材料作为衬底的 LED 芯片电极是 L 型电极，电流是纵向流动的。

采用这种衬底制作的 器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。