晶圆扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体硅片上。半导体中的扩散属于三种输送现象（质量传输、热传递和动量传输）中的质量传输，需要在850℃以上的高温环境下，效应才够明显而据贺利氏披露，卧式炉的扩散、氧化和退火工序需要在高温环境下（>1150℃）也能保持温度稳定性能的特种石英材料。