各有优劣，根据实际情况选择。

IGBT是达林顿结构，MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的门槛电压（VGSth）来触发打开但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大，故需要一定的门极驱动能力，MOS相对较小。

相对的，IGBT的开关频率普遍较低（30~50K以下）而电流较大（可达1000A）。MOSFET的开关频率可达500K，而RMS电流普遍较低（一般不超过100A）