光刻工艺的三要素：

① 掩模版:主体为石英玻璃，透光性高，热膨胀 系数小 ② 光刻胶:又称光致抗蚀剂，采用适当的有选择 性的光刻胶，使表面上得到所需的图像. ③ 曝光机:用于曝光。

光刻（英语：photolithography）工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。