伏特材质为宽禁带半导体材料材质。

电子伏特（eV）的半导体材料称为宽禁带半导体材料。

宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比，宽禁带半导体的优点更加的突出。

碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，氮化镓则紧随其后。与此同时，业界也在积极开发新的宽禁带半导体材料。金刚石就是俗称的“金刚钻”，具有更宽的禁带宽度，成为国际前沿研究热点。