MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：

I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）²

式中：

Un：为电子的迁移速率。

Cox：为单位面积栅氧化层电容。

W/L：氧化层宽长比。

Vgs-Vth：为过驱动电压。

扩展资料：

早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。

在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。

今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process，SiGe process）。

但是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide，GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。