3n150是电子管,它的引脚参数是220伏,最大耗散功率:167W,最大漏源电流:16A漏源击穿电压:600V,内阻:0.26,通态电流:8A,栅极电压:10V
电子管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数场效应管的抗辐射能力强
3n150是个什么管子
3n150是个场效应管管子。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。