不同的IGBT导通压降都不一样,例如 低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右, 快速型 导通压降大约2.7~3.7V左右。
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。
原创 | 2023-01-01 17:50:02 |浏览:1.6万
不同的IGBT导通压降都不一样,例如 低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右, 快速型 导通压降大约2.7~3.7V左右。
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。
Copyright 2005-2020 www.kxting.com 版权所有 | 湘ICP备2023022655号
声明: 本站所有内容均只可用于学习参考,信息与图片素材来源于互联网,如内容侵权与违规,请与本站联系,将在三个工作日内处理,联系邮箱:47085,1089@qq.com