有用。

相对于前代IGBT，TRENCHSTOP 5 IGBT提高了性能，且能够在高开关频率下运行。同时还适用于在适当的布局中直接替换开关频率达100kHz的传统高电压MOSFET。在较高的开关频率下运行能够减少磁性元件的尺寸和电容器的数量。然而，由于较高的di/dt和dv/dt可能引发关断时高压过冲、导通时振荡或EMI数据降级等问题，旧款 IGBT并不总能找到简单的“即插即用”替代品。