化合物半导体磷化铟 (InP),电学性质优越。
磷化铟是第二代半导体材料,广泛应用于光通信、集成电路等领域。
5G 时代技术革新带来以磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料的蓬勃发展。
半导体材料按照物理性质可以划分三代,分别是以 Si、Ge 为代表的第一代,InP、GaAs 为代表的第二代,GaN、SiC 为代表的第三代。
原创 | 2022-12-31 19:44:02 |浏览:1.6万
化合物半导体磷化铟 (InP),电学性质优越。
磷化铟是第二代半导体材料,广泛应用于光通信、集成电路等领域。
5G 时代技术革新带来以磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料的蓬勃发展。
半导体材料按照物理性质可以划分三代,分别是以 Si、Ge 为代表的第一代,InP、GaAs 为代表的第二代,GaN、SiC 为代表的第三代。
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