如果驱动电压小于10v，那就太有关系了，mos管都没有完全打开，内阻会比较大，温升肯定大，如果你指的是＞10v的驱动电压，看你应用在什么场合了，低频场合驱动电压高低影响不大，但是如果应用在射频等高频下，那就有影响了。

VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈，即MOS管的RDS(ON)为负温度系数，可以将这个区域称为RDS(ON)的负温度系数区域。

半导体内部与外部的温度差由热阻决定。结与外壳间的热阻为R，外壳与散热片之间的热阻为R，结（芯片）与周围环境的热阻为R衄^。