因为晶闸管 (可控硅 )可以看作是由三个 PN 结构成。 在晶闸管 (可控硅 )处于阻断状态下，因各层相距很近，其 J2 结结面相当于一个电容 

晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表 明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门 极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可 能发生这种情况