高温磷酸去除氮化硅原理：用热磷酸湿法刻蚀法去除氮化硅。

      将８５％浓磷酸和１５％去离子水（ＤＩＷ）配成并保持在１６０℃的温度下混合液体进行刻蚀，热磷酸刻蚀之后的芯片一般采用对镀膜后的硅片进行热去离子水清洗除膜，从而去除氮化硅。