优点：1、靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级），所制备膜层更致密，与基板结合力更高

2、一般备有辅助离子源，可以用来清洗基板，清洗效果好

3、易于制备熔点高的材料

4、制备合金膜层，可以保证膜层材料比例与靶材相同

5、由于装有中和器，也可以用来制备绝缘膜层

缺点：1、一般镀膜速率较慢，几十埃每秒

2、离子源清理和中和器灯丝更换较频繁

3、不适宜制备较大面积薄膜