SY-经典 H610M梅捷主板 8+1相供电

DR.MOS技术早期属于服务器主板先进技术，三合一封装的DR.MOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电压和超频的潜力。应用DR.MOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。而目前，更多是只有中端或以上的主板才会在供电部分使用到这样DR.MOS。