第三代半导体的发明人是郝跃。

郝跃是中国科学院院士、西安电子科技大学教授，也是我国著名微电子学专家。他开拓、引领了我国第三代半导体电子器件与材料的发展，创建了我国第三代半导体氮化镓外延生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系，实现了我国氮化物半导体从核心设备、材料到器件的重大创新，为我国在氮化物第三代半导体电子器件步入国际领先行列作出重要贡献。