通过公式计算,MOS管自身的功率:
  P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS。MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升,最好功耗确定后,便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。
  MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗,比如导通损耗,开关损耗等,当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd。
原创 | 2022-11-24 19:29:51 |浏览:1.6万
通过公式计算,MOS管自身的功率:
  P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS。MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升,最好功耗确定后,便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。
  MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗,比如导通损耗,开关损耗等,当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd。
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