A19T采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A19T是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。

A19T具有比PW2301A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压

A19T基本参数：VDS = -30V，ID = -4.2A，RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-10V

A19T采用SOT23-3L环保材质的封装形式。