Rw为扩散电阻。排列通过晶体提供圆锥形电流分布，因而得名为“扩散电阻”。此类排列的主要优点在于，传感器电阻对制造公差的依赖程度有显著降低。靠近金属化孔的区域决定了电阻的主要部分，因此电阻的构建独立于硅晶体的尺寸公差。

扩散到金属化表层下面晶体内的n+区域则降低了金属-半导体结点处阻挡层的效应。