最高10纳米。

闪存芯片目前最高工艺制程为10纳米。根据市场机构大摩的分析，长鑫存储的17纳米DRAM芯片的良品率已经达到40%，预计将在今年第二季度，会向客户提供最新的存储芯片产品。不过，与国外头部的存储芯片巨头相比，长鑫存储的17nm存储芯片良品率还需要提升、对技术不断迭代。并且，美光、SK海力士以及三星这三家市场占有率最高的闪存厂商，在DRAM芯片方面的研发，已经来到了10纳米节点。