悬空区有多种解释，以悬浮区带熔法为例，是指在充满氩气的密封反应室中进行的，首先将一根长度大约为50到100厘米的多晶态硅棒垂直的放置在高温反应室里，加热线圈把硅棒的末端融化，然后把籽晶晶体熔入已经熔化的区域，熔体将会藉着熔融硅的表面张力而悬浮在籽晶与多晶棒之间，然后加热线圈缓慢向上升高而把熔融硅上方部分的多晶硅棒熔化。