拖尾效应(smearing)是指在电力电子开关器件(如IGBT)关断过程中,描述其关断过程快慢和关断效果的现象。
在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。
原创 | 2022-11-12 18:29:32 |浏览:1.6万
拖尾效应(smearing)是指在电力电子开关器件(如IGBT)关断过程中,描述其关断过程快慢和关断效果的现象。
在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。
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