NAND Flash跟普通的Flash结构不一样，由于NAND Flash自身的特性，偶尔会出现位反转的情况，所以在烧录的时候要注意下ECC。位反转是指原先Nand Flash中的某个位，变化了，即要么从1变成0了，要么从0变成1了。小容量的NandFlash一般不容易产生位反转，如1Gbit、2Gbit的一般大容量的会比较容易产生，如32Gbit的。为什么会出现位反转的情况，有以下几点原因：漂移效应：漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地变了，变的和原始值不一样了。编程干扰所产生的错误：此现象有时候也叫做，过度编程效应。对于某个页面的编程操作，即写操作，引起非相关的其他的页面的某个位跳变了。读操作干扰产生的错误：此效应是，对一个页进行数据读取操作，却使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上的该位的值变了。 在烧录的过程中如果没有设置相应的ECC，那么在校验的时候发现NAND Flash里面的数据和原始数据不一样，烧录就提示出错了。解决的办法就是在烧录前，就设置好ECC，如我用的SmartPRO 6000F-PLUS是这样设置的，如下图示。