n型和p型电导率区别

相同杂质浓度下，P型半导体电阻率是小于N型半导体电阻率的，因为P型半导体主要依靠空穴导电，N型半导体主要依靠电子导电。而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说，硅体内掺相同剂量的磷和硼，比如1E15cm-3，则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米，而掺硼的P型半导体电阻率则为10~15欧姆厘米。