原理是由于势垒高度减低，N型半导体的电子在外加电场的作用下就有较大的概率能越过势垒到达P型区，产生电流，而P型半导体的空穴也是类似，此时我们就称PN结导通了。

除了正向偏压导通之外，PN结还会被反向击穿。反向击穿一般有两种，雪崩击穿和齐纳击穿。

雪崩击穿是当外加的反向电场足够大时，半导体内的载流子能量非常高，在和原子发射碰撞时足够破坏共价键，激发出新的载流子。