ddr5内存和ddr4区别对比:

1.性能

如果只看频率的话,相同容量下,4800MHz的DDR5内存条,性能是3200MHz的DDR4内存条的1.5倍,实际DDR5还有其他BUFF,所以最终是1.87倍的性能加成。你也可以简单理解为,同样的时间里,DDR5跑了3圈,而DDR4只跑了2圈,妥妥的碾压。

2.工作电压

而对于低功耗设备来说,DDR5相较DDR4最大的意义就是更高的能耗比,电压从1.2V进一步降低到1.1V,可以更加省电。而且DDR5还将PMIC(power management IC)从主板挪到了DIMM上,这让电源管理的颗粒度变得更小,可以更加让整套平台都更加省电,新一代笔记本在速度提升的同时,还能在不牺牲续航甚至是获得更长续航时间。

3.ECC特性

简单来说,ECC(Error Correcting Code)就是一个内存纠错机制,运行过程中的内存可能发生1bit数据的跳变,带ECC特性的内存可以主动纠错,维持系统的长期稳定运行。以往 ECC内存一般应用在服务器上,也就是企业级的内存产品上才能见到。之前ECC一直作为一个可选特性存在,在消费级平台上一般也不支持ECC内存条。这次DDR5标准把ECC特性下放到了消费级产品上,意味着后续支持DDR5的内存都会有更稳定的性能表现。

4.容量增加

这意味着更大的单条内存上限,以往我们看到32GB的单条基本都到头了,这次支持了更大容量的单个DRAM,可能会让我们看到单条64GB甚至128GB的内存条出现。不过在消费级市场上,目前的内存需求还没有看到有如此大,可能更多的仍然将用在高端消费级平台上。再也不用担心你的DDR5内存插槽不够用了,2根大容量内存条足够你把内存条当做系统盘来用了。

5.规格方面

首批DDR5 SO-SIMM内存单条配备16GB容量,频率达到4800MHz,这个规格意味着它能在性能上完胜目前市面上已有的DDR4 SO-SIMM内存,不过容量上暂时似乎不会带来太多的惊喜,但是对于移动端目前的应用场景来说也够用了,不过未来更大的单条容量肯定会是一个发展方向,毕竟受限于内部插槽和DDR4内存的规格,目前笔记本平台最多也不过是支持64GB(2*32GB),逐步推广大容量也是DDR3向DDR4时演进的一个方向。

6.总结

PC平台的DDR5内存条很快就会来,相比于DDR4,频率,时序,能耗比一定都会更优秀,但是DDR5下放到移动平台大约会晚两年左右,所以现在买笔记本不需要纠结内存的代数,DDR4就行了,频率越高,时序越低越好。

ddr4和ddr5性能差异

首先DDR5和DDR4内存的区别在于带宽速度,单片芯片密度,工作频率三个方面。

一、带宽速度方面:

与DDR4相比,改进的DDR5功能将使实际带宽提高36%,目前DDR4的带宽在25.6GB/s,DDR5的带宽为32GB/s。

二、工作频率方面:

DDR4的最低的工作频率标准为1600MHz,最高工作频率为3200MHz(不超频的情况下),而DDR5的工作频率最低高达4800MHz以上,最高频率达到6400MHz。

三、单片芯片密度方面:

DDR4目前主要为4GB,单条内存的最大容量达到128GB,而DDR5会有单片超过16GB的芯片密度,可以达到单条更高容量。

而在功耗方面目前DDR4内存的单条功耗为1.2V,DDR5内存的功耗将进一步降低到1.1V。同时,DDR5具有改进的命令总线效率,更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。

说完了DDR5和DDR4内存的区别,那接下来说一下内存的时序起到什么作用。内存时序则是一大串数字,表述的时候中间用破折号隔开。

内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,单位都是时间周期,也就是一个没有单位的纯数字。

CL(CASLatency):列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数。

tRCD(RASto CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间。

tRP(RASPrecharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS(RASActive Time):行地址激活的时间。

越低的时序代表颗粒体质越好,超频的潜力也就越大。内存的时序会随着频率的增加而增加,内存的延迟可以用这个公式来计算:内存延时=时序(CLx 2000 )/内存频率。

DDR4:(CL15*2000)/2133=14ns

即使内存的时序会随着频率的增加而增加,但最后内存的延时并没有太大的变化。频率相同时,时序越低,延迟也就越小。同样,时序相同时,频率越高,延迟也就越小。